【摘 要】
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阐述了一维光纤阵列的研制方法,分析了V型槽法中硅V型槽腐蚀机理,计算了V型槽的开口及间距与光纤半径及纤芯截面圆心距的关系,给出了最小槽深与光纤半径及V型槽开口的关系式
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,中国科学院研究生院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助(No.60578036);中科院“优秀博士学位论文、院长奖获得者科研启动专项资金”资助;应用光学国家重点实验室开放基金资助
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阐述了一维光纤阵列的研制方法,分析了V型槽法中硅V型槽腐蚀机理,计算了V型槽的开口及间距与光纤半径及纤芯截面圆心距的关系,给出了最小槽深与光纤半径及V型槽开口的关系式。用各向异性腐蚀技术制作了硅V型槽,比较了紫外及红外粘接剂的性能,进行了光纤的排列、粘接及抛光,制作出一维光纤阵列。用原子力显微镜测量光纤阵列表面粗糙度为纳米量级,用ZYGO数字干涉仪检测光纤的端头位置误差为3~5μm。该项工作为二维光纤阵列的高精度制备奠定了基础。
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