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采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能。结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH-两倍振动吸收带,而且在可见-紫外波段也形成强烈的色心吸收带。同时,杂质离子Ce3+的存在也导致晶体出现306nm的吸收带。