阵列化锰铜高压传感器的研制

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通过传感器的结构设计、敏感材料和封装材料的研制以及采用新的传感器制备工艺,制作了一种新型的薄膜式锰铜传感器.采用熔融石英材料作为绝缘基板.在绝缘基板上沉积锰铜敏感薄膜.并在敏感薄膜的上面沉积SiO2封装层薄膜.根据"后置"式传感器由阻抗匹配原则,计算出铝靶板中的最高压力为51.68GPa,SiO2封装材料中的压力为35.396GPa.
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