【摘 要】
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随着半导体器件的集成度由超大规模向甚大规模发展，器件的最小尺寸也相应由亚微米缩小到深亚微米。器件各单元的接触、互连性已成为影响ＶＬＳＩ与ＵＬＳＩ性能的重要因素之一。铝引线因铝硅低
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随着半导体器件的集成度由超大规模向甚大规模发展，器件的最小尺寸也相应由亚微米缩小到深亚微米。器件各单元的接触、互连性已成为影响ＶＬＳＩ与ＵＬＳＩ性能的重要因素之一。铝引线因铝硅低共熔点温度仅为５７７℃，再加上铝硅接触处钉子缺陷、硅沉淀可分别引起漏电和高接
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