低电阻率介质层制备低压驱动薄膜电致发光器件的研究

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采用Ta2O5/SiO2,5a2O5/Al2O3复合介质制备出2低压驱动ZnS:Mn薄膜电致发光器件,它的阈值电压在40V以下。当驱动电压国60频率为50Hz时,发光亮度在300cd/m^2以上,发光层中平均电场强度为10^5V/cm数量级。这种器件具有其独特的亮主压特性、频率特性和电荷存储量-电压特性。
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