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利用直流反应溅射技术在不锈钢和硅基体上沉积了 TiN 纳米晶薄膜,采用场发射扫描电镜(FESEM)、X 射线衍射(XRD)和电化学阻抗谱(EIS)技术研究了薄膜的表面形貌、相结构和耐蚀性与偏压的关系。结果表明, TiN 薄膜的表面结构明显取决于所施加的偏压,适当提高偏压有利于获得细小、均匀、致密和光滑的膜层。XRD 分析发现,TiN 薄膜为面心立方结构,其择优取向为(111)面。实验显示,对应0 V 和-35 V 偏压的薄膜为欠化学计量比的,而偏压增加至-70 V 和-105 V 时的薄膜为化学计量比的