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本文通过在硅衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的砷化镓外延薄膜的变激发强度的近红外光致发光，研究了在液氮温度下峰值为１．１３与１．０４ｅＶ两个发光带的发光特性。
砷化镓异质外延薄膜的近红外光致发光研究
【摘 要】
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本文通过在硅衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的砷化镓外延薄膜的变激发强度的近红外光致发光，研究了在液氮温度下峰值为１．１３与１．０４ｅＶ两个发光带的发光特性。
【机 构】
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天津轻工业学院,中国民航学院,中国科学院长春物理研究所,中国民航学院基础部
【出 处】
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中国民航学院学报
【发表日期】
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1995年3期
【基金项目】
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中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室基金
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