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基于锑化铟（InSb）红外探测器的大批量生产,发现电极薄膜微应力会引起器件性能劣化。通过实验设计验证了金电极薄膜微应力对InSb芯片探测率、灵敏度和可靠性的影响。研究了电极薄膜微应力的可恢复性及其作用机理,并提出了控制和优化电极微应力的途径,为从工艺结构上提高红外探测器的性能和可靠性奠定了理论参考和实验基础。