硅双晶结高温超导直流量子干涉器件

来源 :传感器技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liubifeng1392

【摘要】

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研究了在硅双晶基片上制备高临界温度(Tc)，YBa2Cu3O7 （YBCO）直流量子干涉器件(DC-SQUID)工艺及其特性。采用脉冲激光沉积技术在Si (100)双晶基片上原位制备钇稳定氧化锆(YSZ)、C

【作者】

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漆汉宏魏艳君王天生田永君

【机构】

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燕山大学电气工程学院

【出处】

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传感器技术

【发表日期】

：

2001年1期

【关键词】

：

硅双晶高温超导量子干涉器件 silicon bicrystal high T_c superconductivity quantum interferenc

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研究了在硅双晶基片上制备高临界温度(Tc)，YBa2Cu3O7 （YBCO）直流量子干涉器件(DC-SQUID)工艺及其特性。采用脉冲激光沉积技术在Si (100)双晶基片上原位制备钇稳定氧化锆(YSZ)、CeO2隔离层、YBCO超导薄膜及非超导YBCO钝化层，超导薄膜临界温度为88?K。采用激光技术直接成型的硅双晶结符合典型电阻分路结RSJ模型，其IcRN　值在77?K下可达到150?μV，具有Fraunhofer衍射状的Ic(H)特性。所实现的DC-SQUID器件电压-磁通传输函数达4.835?938

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