PIN探测器对脉冲辐射响应的电荷线性特性研究

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采用理论模拟和IVA(inductive voltage adder)产生的脉冲X射线,研究了PIN探测器输出电荷随脉冲辐射强度的变化关系.结果表明,当入射脉冲辐射注量是PIN探测器最大线性电流对应注量的16.2倍时,PIN探测器输出电荷仍然与脉冲辐射强度呈线性变化,偏离线性小于5%.
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