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同步辐射激发直接光化学刻蚀是近年来发展的一项新技术，它不需要常规光刻中的光刻胶工艺，用表面光化学反应直接将图形写到半导体材料的表面上。由于所用的同步辐射在真空紫外（ＶＵＶ）波段，理论上的分辨率可以达到电子学的量子极限，且没有常规工艺中的表面损伤和化学污染，是一种非常具有应用潜力的技术。本文的最后部分重点讨论联与上述技术密切相关的ＶＵＶ和软Ｘ射线激发的表面光化学反应机理。