硫化钨花形二维纳米晶的控制生长研究

来源 :材料科学与工程学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zwb19831101
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以氧化钨为原料,硫化氢为气源在阳极氧化铝(AAO)模板基底上采用气固法制备出了硫化钨花形二维纳米晶体.采用x射线衍射(XRD)、电子透射显微镜(TEM)和场发射电子扫描显微镜(SEM)等手段对所制备的样品进行了检测分析,证实所得灰黑色产物是硫化钨单晶,片状单晶长宽约为几个微米,厚度约30nm.本文对纳米花晶体的制备、影响因素等进行了初步探讨.
其他文献
本研究以Ti/Al/TiC为原料,采用放电等离子烧结工艺制备致密TiAl/Ti2AlC复合材料.制备材料主要由TiAl和Ti2AlC两相组成.当原料中掺入体积分数为7%的TiC时,Ti-Al基体由γ相和层