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采用氧化和析出的方法在氧化硅中凝聚生成锗纳米晶体量子点结构。对比了在长时间高温退火氧化条件下和在短时间低温退火用激光照射氧化条件下所生成的锗纳米晶体结构的PL光谱和对应的锗纳米晶体团簇的尺寸分布。为了解释605nm波长处的很强的光致发光峰，在Ge纳晶团簇与SiO2的界面处建立起三能级受激光致发光模型。这为锗的集成激光元器件的开发提供了一条新思路。