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以氮化硅为基体，通过加入一定量的特殊无机添加剂，控制好相关工艺参数成功地制备出低密高强低介电的多孔氮化硅材料。采用有机涂层对多孔氮化硅材料表面进行封孔处理，通过对封孔前后材料电性能的对比分析得出：涂层对封孔后表面致密的整体材料电性能影响微小。
低介电高强度多孔氮化硅陶瓷的研制
【摘 要】
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以氮化硅为基体，通过加入一定量的特殊无机添加剂，控制好相关工艺参数成功地制备出低密高强低介电的多孔氮化硅材料。采用有机涂层对多孔氮化硅材料表面进行封孔处理，通过对封孔
【机 构】
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山东工业陶瓷研究设计院,济南大学材料学院,武汉理工大学材料学院
【出 处】
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现代技术陶瓷
【发表日期】
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2007年1期
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