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采用铟锡合金靶(铟-锡,90-10),通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜,并在大气环境下高温退火处理.研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响.研究表明,随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高.
退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响
【摘 要】
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采用铟锡合金靶(铟-锡,90-10),通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜,并在大气环境下高温退火处理.研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响.研究表明,随
【机 构】
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兰州大学物理科学技术学院,兰州物理所
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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2003年3期
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