用SOI技术提高CMOSSRAM的抗单粒子翻转能力

来源 :信息与电子工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：w__hailin

【摘要】

：

提高静态随机存储器（SRAM）的抗单粒子能力是当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一。体硅CMOS SRAM不作电路设计加固则难以达到较好抗单粒子能力，作电路设计加固则要在芯

【作者】

：

赵凯高见头杨波李宁于芳刘忠立肖志强洪根深

【机构】

：

中国科学院半导体研究所,传感器技术国家重点实验室,中国电子科技集团第58研究所

【出处】

：

信息与电子工程

【发表日期】

：

2010年1期

【关键词】

：

绝缘体上硅静态随机存储器抗单粒子翻转设计加固 Silicon on Insulator Static Random Access Memory ant

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提高静态随机存储器（SRAM）的抗单粒子能力是当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一。体硅CMOS SRAM不作电路设计加固则难以达到较好抗单粒子能力，作电路设计加固则要在芯片面积和功耗方面做出很大牺牲。为了研究绝缘体上硅（SOI）基SRAM芯片的抗单粒子翻转能力，突破了SOI CMOS加固工艺和128kb SRAM电路设计等关键技术，研制成功国产128kb SOI SRAM芯片。对电路样品的抗单粒子摸底实验表明，其抗单粒子翻转线性传输能量阈值大于61．8MeV／（mg／cm^2）,优于未做加固设计的

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