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目前制作大规模集成电路的方法是直接在硅片上制作半导体元件，日本三菱电机公司在这个基础上作了进一步改进：在硅片同元件之间镀了一层氧化物绝缘膜，使元件之间的相互干扰和干扰故障的危险性减少了，大大提高了元件的集成度和工作速度。现在，该公司正利用这项工艺原理，采用激光照射再结晶技术制成了更新型的绝缘膜衬底硅片大规模集成电路，集成密度比过去提高了11倍。