Ga2Se3／ZnSe异质结分子束外延生长过程中ZnGa2Se4外延层的形成

来源 :发光快报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：michael_zhang_x

【摘要】

：

首次在（１００）ＧａＡｓ衬底上成功地生长出ＺｎＧａ２Ｓｅ４外延薄膜。用分子束外延技术在１００ＧａＡｓ衬底上制备Ｇａ２Ｓｅ３／ＺｎＳｅ异质结时，用５４０℃以上的温度生长出ＺｎＧａ２Ｓｅ外延层。

【作者】

：

刘哲

【出处】

：

发光快报

【发表日期】

：

1995年1期

【关键词】

：

锌镓硒薄膜分子束外延光致发光

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