【摘 要】
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首先建立了线性变掺杂高阻漂移区LDMOS的导通电阻的模型,通过分析、计算,得出它的导通电阻的解析表达式,然后用MATLAB软件和MEDICI软件对总导通电阻和各部分电阻进行模拟。经
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首先建立了线性变掺杂高阻漂移区LDMOS的导通电阻的模型,通过分析、计算,得出它的导通电阻的解析表达式,然后用MATLAB软件和MEDICI软件对总导通电阻和各部分电阻进行模拟。经过讨论,得出其性能优于均匀掺杂高阻漂移区LDMOS的结论。
First of all, a model of the on-resistance of LDMOS in a linearly doped high-resistance drift region was established. The analytical expression of on-resistance of LDMOS was obtained by analysis and calculation. Then, the on- Part of the resistance simulation. After discussion, the conclusion is obtained that its performance is better than that of LDMOS doped with high resistance and uniform drift.
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