【摘 要】
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利用可旋转四极质谱仪对氢原子束与氢化Si(100)表面作用中氢提取反应产生的氢分子角分布进行了系统的分析.发现氢原子束与氢化Si(100)表面作用中,从氢化Si(100)表面脱附的氢
【机 构】
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中山大学光电材料与技术国家重点实验室//物理科学与工程技术学院,CH(A)TELET Marc
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利用可旋转四极质谱仪对氢原子束与氢化Si(100)表面作用中氢提取反应产生的氢分子角分布进行了系统的分析.发现氢原子束与氢化Si(100)表面作用中,从氢化Si(100)表面脱附的氢分子具有较宽的角分布,并可以用函数cosnθf(其中n＜1)拟合氢分子角分布.脱附的氢分子角分布与Si(100)表面温度和表面重构模型无关.根据硅表面重构机制,用非活性脱氢模型对实验结果进行了合理的解释.
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