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采用射频磁控溅射技术在Si（111）基体和Cu之间沉积ZrGeN阻挡层，重点研究了Cu／ZrGeN／Si多层膜系中N2分压对ZrGeN微结构及阻挡层性能的影响。采用四探针电阻仪、X射线光电子能谱、X射线衍射仪、俄歇电子能谱表征ZrGeN薄膜和Cu／ZrGeN／Si多层膜体系的电阻率、成分、微结构和热稳定性能。ZrGeN薄膜结构在沉积过程中对N2与Ar气体流量比非常敏感，随N2／（Ar＋Nz）流量比的增加，依次形成多晶、类非晶ZrGeN膜层；较高N2含量的ZrGeN系统在800℃退火后仍能保持其非晶结构，C