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本文研究了快速热处理工艺（RTP）在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区（Dz）的影响。研究表明：在模拟的CMOS热处理工艺之前，应用快速热处理（1250℃，50s）代替常规炉处理（1200℃，2h）消除直拉硅单晶热历史，可以更有效地消融原生氧沉淀。经过CMOS热处理工艺后，硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区（DZ），同时其体内有较高密度的体缺陷（BMD）。