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本文针对基于0.13um e-Flash工艺下工作频率达到500MHz以上的数字直接频率合成器,提出了DDS核与DAC电路级联的电路结构,可以使DDS的输出频率达到200MHz,同时兼容混合信号集成电路电路的工艺,面积仅2*2mm2。
一种基于e-Flash工艺的DDS电路设计
【摘 要】
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本文针对基于0.13um e-Flash工艺下工作频率达到500MHz以上的数字直接频率合成器,提出了DDS核与DAC电路级联的电路结构,可以使DDS的输出频率达到200MHz,同时兼容混合信号集成电路电路的工艺,面积仅2*2mm2。
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所
【出 处】
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电子技术与软件工程
【发表日期】
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2021年18期
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