【摘 要】
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利用计算机模拟研究了一个实验4H-SiC晶闸管在取消其门极触发电路情况下,正向阻断电压随光照条件的变化情况,借以探讨SiC晶闸管实现光控的可行性。结果表明,在波长350 nm的连
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利用计算机模拟研究了一个实验4H-SiC晶闸管在取消其门极触发电路情况下,正向阻断电压随光照条件的变化情况,借以探讨SiC晶闸管实现光控的可行性。结果表明,在波长350 nm的连续波光源辐照下,这个最高正向阻断电压可达4.5 kV的器件,随着辐照强度从0.01 mW/cm2增到100 mW/cm2,其阻断能力从3.2 kV下降到6.5 V,并在200 mW/cm2的辐照条件下完全丧失阻断能力。该器件的最低触发光强度只需2μW/cm2。比较了光照门极的直接光触发方式与用光电二极管的光电流触发晶闸管的间接光触
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