【摘 要】
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单层二硫化钳是禁带宽度为1.8 eV的二维直接带隙半导体材料,可以用来发展新型的纳米电子器件和光电功能器件。由于半导体里的空位能够捕获电荷载流子和局域激子,形成散射中心
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院先进激光技术研究中心,河北工业大学机械工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(61805067),河北省自然科学基金(A2019202257),河北省高等学校科学技术研究项目(BJ2018047)
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单层二硫化钳是禁带宽度为1.8 eV的二维直接带隙半导体材料,可以用来发展新型的纳米电子器件和光电功能器件。由于半导体里的空位能够捕获电荷载流子和局域激子,形成散射中心,极大的影响其主材料的输运和光学性质,文中主要利用第一性原理方法的相关理论基础和数值计算算法,研究原子空位对单层二硫化钳光学性质与饱和吸收性的影响,计算揭示硫空位的出现在带隙中产生局域的中间态,导致光学吸收峰的位置显著红移并且在可见光有较强的光吸收。通过数形结合,很好地理解了这个缺陷调制的吸收机制,为二维材料的光电子器件制备提供了深入指导。
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