【摘 要】
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采用直流磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了氧化铟锡（ITO）薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、分光光度计、Hall效应测试系统研究了热退火与原位生长、衬底温度、直流溅射功
【机 构】
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浮法玻璃新技术国家重点实验室,蚌埠玻璃工业设计研究院,
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采用直流磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了氧化铟锡（ITO）薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、分光光度计、Hall效应测试系统研究了热退火与原位生长、衬底温度、直流溅射功率对薄膜结构、表面形貌以及光电性能的影响。结果表明:与室温生长并经410℃热退火后的薄膜相比,410℃原位生长可获得光电性能更好的薄膜;随着衬底温度的增加,电阻率单调减小,光学吸收边出现蓝移;在溅射功率为85 W时薄膜的光电性能达到最佳。在衬底温度为580℃、溅射功率为85 W的工艺条件下,可制备出电阻率为1.4×10–4?·cm、可见光范围内平均透过率为93%的光电性能优异的ITO薄膜。
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