N2O氧化制备MISiC氢传感器的响应特性分析

来源 :传感技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wiaoni007

【摘要】

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采用N2O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属-绝缘体-SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术,对传感器的响应特性进行了研究.实验结果表明,N2O工艺能明

【作者】

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韩弼徐静平黎沛涛李艳萍

【机构】

：

华中科技大学电子科学与技术系,香港大学电机电子工程系

【出处】

：

传感技术学报

【发表日期】

：

2004年2期

【关键词】

：

氮化氧化物金属-绝缘体-SiC(MISiC) 肖特基势垒二极管气体传感器 oxynitride Metal-Insulator-SiC (MISiC)

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采用N2O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属-绝缘体-SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术,对传感器的响应特性进行了研究.实验结果表明,N2O工艺能明显改善栅绝缘层和衬底之间的界面特性从而提高传感器的性能,可在高温(如300 ℃)等恶劣环境下长期可靠的工作,且适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进.

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