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本文设计和研究了一种低功耗8Bit SARADC结构,其采用了GF0.18um工艺设计,1.8V单电源电压,动态范围为1V,INL为0.5LSB,DNL为2LSB通过详细的电路原理分析和软件Cadence的仿真,并流片测试,性能达到设计初衷。
低功耗SARADC芯片设计与研究
【摘 要】
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本文设计和研究了一种低功耗8Bit SARADC结构,其采用了GF0.18um工艺设计,1.8V单电源电压,动态范围为1V,INL为0.5LSB,DNL为2LSB通过详细的电路原理分析和软件Cadence的仿真,并
【机 构】
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天津维晟微科技有限公司
【出 处】
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电子测试
【发表日期】
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2016年6X期
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