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本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击空电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ，测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分析。
PtSi／n—Si肖特基势垒二极管的研制
【摘 要】
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本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击空电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ，测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分析。
【机 构】
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西安交通大学电子工程系
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1995年4期
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