三缺位杂多阴离子н—A—PW9O34^9—的甲基硅衍生物（TBA）3[α—A—PW9O34（CH3SiO）3（CH3Si）]的合成和晶体结构

来源 :无机化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiangqiuli8609

【摘要】

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杂多化合物SiW11O39^8-的有机硅衍生物早在1978年就由Knoth报道^[1]，后来又有人报道了α-PW11O39^7-和α-PW9Mo2O39^7-的有机硅衍生物^[2,3]。该类衍生物在抗HIV－1方面有重要的

【作者】

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王敬平李明雪牛景扬

【机构】

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河南大学化学化工学院

【出处】

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无机化学学报

【发表日期】

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2002年2期

【关键词】

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甲基硅衍生物三缺位杂多阴离子合成晶体结构有机硅衍生物 methylsilicontrivacant heteropolyanionsynthesiscr

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杂多化合物SiW11O39^8-的有机硅衍生物早在1978年就由Knoth报道^[1]，后来又有人报道了α-PW11O39^7-和α-PW9Mo2O39^7-的有机硅衍生物^[2,3]。该类衍生物在抗HIV－1方面有重要的用途^[4,5]，因而，近年来引起了人们极大的重视。1996年Thouvenot及其合作者研究了三缺位杂多阴离子与有机硅的反应，并在相转移条件下合成了一些杂多阴离子的有机硅衍生物^[6-9]，但到目前为止，有关杂多化合物的有机硅衍生物报道还很少，该类化合物的晶体结构报道更少。本文报道了化

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