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利用辉光放电质谱仪(GDMS)一次性直接测定ITO靶材中的主体元素和痕量元素。首先考察了ITO样品中的元素和Ar,H,O,N等气体元素形成的多原子离子干扰,利用X射线光电子能谱确定氧化铟锡靶材的主体元素In和Sn的组分,通过GDM S校正获得二者的相对灵敏度因子(RSF),从而对ITO中的In和Sn进行定量,并利用典型RSF对其他痕量元素进行半定量。测试的结果具有较好的准确度和精度。利用校正RSF和典型RSF相结合进行测试的方法同样适用于类似的掺杂的半导体材料。