【摘 要】
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固相烧结SiC（SSiC）陶瓷大多数用于结构陶瓷材料，用于电子和电阻元器件的研究很少。实验以添加不同C含量的致密SSiC陶瓷材料为研究对象，研究了添加不同C含量SSiC陶瓷的伏安特性、
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固相烧结SiC（SSiC）陶瓷大多数用于结构陶瓷材料，用于电子和电阻元器件的研究很少。实验以添加不同C含量的致密SSiC陶瓷材料为研究对象，研究了添加不同C含量SSiC陶瓷的伏安特性、电阻率与电流密度的变化关系及电阻率与温度的变化关系。研究结果表明：SSiC陶瓷表现出明显的非线性电学特性，其电阻率随着电流的增大而降低；对于添加3wt％C含量的SSiC陶瓷，当电场强度超过15．8V／mm时，晶界势垒被击穿；对于添加6wt％C含量的SSiC陶瓷，当电场强度超过70．7V／mm时，晶界势垒被击穿，它们的电阻率将
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