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65nm及其以下工艺，工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏，对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限（即SRAM传统静态指标），该测试结构能够测量65nmSRAM在保持、读、写三种操作下的指标：HoldSNM，RSNM，N-curve，WNM。为了解决其它测试方法存在的测试工作量大和IRdrop（压降）等问题，该测试结构采用四端结构引出SRAM的内部存储结点，通过译码器选中特定的SRAM单元进行测试，解决了端口复用问题。