【摘 要】
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VDMOS器件具有开关速度快、开关损耗小、频率特性好等优点,被广泛应用于高频开关器件领域.利用TCAD软件对VDMOS器件进行建模仿真,研究了元胞P阱间氧化层厚度对器件静态参数和
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十七研究所
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VDMOS器件具有开关速度快、开关损耗小、频率特性好等优点,被广泛应用于高频开关器件领域.利用TCAD软件对VDMOS器件进行建模仿真,研究了元胞P阱间氧化层厚度对器件静态参数和动态参数的影响.结果表明,器件的阈值电压不变,器件的导通电阻随着元胞P阱间氧化层厚度的增加而增加,器件的栅电荷随着元胞P阱间氧化层厚度的增加而减小,二者相互矛盾,但器件功耗优值明显提高.同时采取JFET注入技术降低导通电阻,使得器件的动态性能进一步改善,对高频VDMOS器件的应用具有一定的指导意义.
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