磁电可调微波器件电调频带漂移模型

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针对磁电可调微波器件外加电场可以调节器件频带漂移的现象,该文基于经典层合板理论及Smith-Beljers理论,建立了外电场作用下磁电层合结构铁磁共振频率漂移模型。对PZT/YIG/GGG 3层磁电层合结构,该理论模型可以在定性上有效的预测施加平行和垂直的外磁场时,电调FMR频率漂移方向相反的实验现象,进而为磁电可调微波器件电调频带漂移现象提供了理论基础。
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