Investigation of Ge-Si Atomic Interdiffusion in Ge Nano-dots Multilayer Structure by Double Crystal

来源 :材料科学技术学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：deansam

【摘要】

：

在超点阵或量井 canbroaden 的拉紧的层的变化在两倍水晶X光检查衍射( DCXRD )的卫星山峰的宽度 pattern.It 是第0 山峰的宽度是的 foundthat 与另外的相关事实是的拉紧的层

【作者】

：

Wenhua SHI Lei ZHAO Liping LUO

【机构】

：

StateKeyLaboratoryonIntegratedOptoelectronics

【出处】

：

材料科学技术学报：英文版

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

：

Ge纳米岛多层结构 Ge-Si原子相互扩散 X线衍射 X-ray diffraction GeSi Nano-dots Annealing Islan

【基金项目】

：

AcknowledgementsThis work was supported by ＂863＂ Research Plan Grant No. 2006AA032415, the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos. 60336010, 90104003, 90401001 and 60676005, and

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在超点阵或量井 canbroaden 的拉紧的层的变化在两倍水晶X光检查衍射( DCXRD )的卫星山峰的宽度 pattern.It 是第0 山峰的宽度是的 foundthat 与另外的相关事实是的拉紧的层 ifthe 的变化直接成正比 ignored.By 这个方法，在弄湿层的 Ge nano-dotsand 的 Ge-Si 原子 interdiffusion 被 DCXRD.It 调查了被发现那热退火罐头 activateGe-Si 原子 interdiffusion 和 interdi

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