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研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响，实验结果表明，经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高温退火，氧沉淀会部分溶解，其溶解量与热处理气氛没有明显的关系，但不同气氛中处理的硅片中体缺陷（BMDs）的分布不同，并对此现象的机理进行了讨论，认为热处理气氛影响了硅片中点缺陷的分布从而影响到BMDs的分布，此研究对集成电路生产中内吸杂工艺的保护气氛的选择有指导意义。