GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光

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【摘要】

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在温度T=77K,测量了GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波数ν=13 156 cm-1和ν=12 289 cm-1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰.理论分析表明,强峰是量子阱中基态电子

【作者】

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程兴奎周均铭黄绮

【机构】

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山东大学光电材料与器件研究所,中国科学院物理所

【出处】

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山东大学学报：理学版

【发表日期】

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2001年2期

【关键词】

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GAAS/ALGAAS 超晶格光致发光 GaAs/AlGaAs superlattice photoluminescence

【基金项目】

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国家自然科学基金，山东省自然科学基金

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在温度T=77K,测量了GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波数ν=13 156 cm-1和ν=12 289 cm-1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰.理论分析表明,强峰是量子阱中基态电子与重空穴复合发光;而弱峰与底层GaAs重掺Si有关.由强发光峰的半高宽可以确定量子阱中的掺杂浓度.理论计算值与实验结果符合得很好.

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