【摘 要】
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报道了优化的p -n型Al0 .85Ga0 .15As/GaAs太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Cr/Au和AuGeNi/Au制作正面栅线和背面电极 ,并分别在 4 50℃和 3 50℃下快速合金化形成欧姆
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室!上海200050; 中国科?;
【基金项目】
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8 63航天领域课题资助项目!(863- 2 - 4- 6- 2A)
论文部分内容阅读
报道了优化的p -n型Al0 .85Ga0 .15As/GaAs太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Cr/Au和AuGeNi/Au制作正面栅线和背面电极 ,并分别在 4 50℃和 3 50℃下快速合金化形成欧姆接触。采用NH4 OH :H2 O2 :H3PO4 :H2 O体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的GaAs接触层。采用真空蒸发技术制备ZnS/MgF2 双层复合减反射层。测试结果表明 ,采用优化工艺制备的器件的光电转换效率得到了明显提高。
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