Si基Bi4Ti3O12薄膜电滞回线及铁电性能的研究

来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yyk20071999

【摘要】

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采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法直接在p-Si衬底上制备生长Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了Ag/ Bi4Ti3O12/p-Si异质结电滞回线的特征及Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能.空间电荷层的存在使Si基Bi

【作者】

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王华

【机构】

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桂林电子工业学院通信与信息工程系

【出处】

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压电与声光

【发表日期】

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2003年6期

【关键词】

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铁电薄膜 BI4TI3O12 电滞回线铁电性能 ferroelectric thin films Bi_4Ti_3O_(12) hysteresis lo

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采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法直接在p-Si衬底上制备生长Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了Ag/ Bi4Ti3O12/p-Si异质结电滞回线的特征及Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能.空间电荷层的存在使Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜呈不对称的电滞回线并导致薄膜的极化减弱.退火温度同时影响了薄膜的晶粒尺寸和薄膜中的载流子浓度,而这两种因素对铁电性能的影响是相反的.Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能随退火温度的变化是两种因素共同作用的结果.

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