【摘 要】
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纳米TiO2半导体材料因为禁带隙较宽而存在对太阳能的利用率较低的问题一直影响自身发展.文中研究了不同掺杂组份和制备条件对TiO2薄膜光吸收性能的影响.首先通过正交实验设计
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纳米TiO2半导体材料因为禁带隙较宽而存在对太阳能的利用率较低的问题一直影响自身发展.文中研究了不同掺杂组份和制备条件对TiO2薄膜光吸收性能的影响.首先通过正交实验设计出最优溶胶-凝胶实验方案,锡、锌、钛的元素摩尔比为1.0∶0.5:10,pH值为2,制备出锐钛矿型TiO2薄膜.XRD和SEM分析表明SnO2,ZnO掺杂处理使TiO2的光吸收范围从紫外红移到可见光附近,降低其禁带宽度.在不改变TiO2晶型结构的情况下,通过改善TiO2结晶,细化晶粒,改变形貌特征等方式提高TiO2薄膜光吸收性能.
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