【摘 要】
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对张应变GaInP量子阱激光器材料结构开展变温光致发光特性的研究,实验中激光器有源区为9nmGa0.575In0.425P量子阱结构,采用N离子注入并结合730℃下的快速热退火处理来诱导有
【机 构】
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西安理工大学电子工程系,西北大学物理学院,中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心
【基金项目】
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陕西省自然科学基础研究计划(No.2017JM6042).
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对张应变GaInP量子阱激光器材料结构开展变温光致发光特性的研究,实验中激光器有源区为9nmGa0.575In0.425P量子阱结构,采用N离子注入并结合730℃下的快速热退火处理来诱导有源区发生量子阱混杂.变温(10K~300K)光致发光特性研究表明:300K时,只进行快速热退火或者N离子注入的样品不发生峰值波长蓝移,N离子注入后样品在退火时发生波长蓝移,且蓝移量随退火时间的增加而增加;低温条件时,不同样品的光致发光特性差别较大,光致发光谱既有单峰,也有双峰,分析认为双峰中的短波长发光峰为本征激子的复合
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