【摘 要】
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本文考虑了前人的研究条件和结果之后在类似的碳片炉内进行了裂化法合成碳化硅的实验,反应试剂为SiCl4、CH3SiCl3、（CH3）3SiCl或SiCl4及（CH3）3SiCl与甲苯的混合蒸气,气氛为H2、Ar
【机 构】
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中国科学院硅酸盐化学与工学研究所; 中国科学院硅酸盐化学与工学研究所;
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本文考虑了前人的研究条件和结果之后在类似的碳片炉内进行了裂化法合成碳化硅的实验,反应试剂为SiCl4、CH3SiCl3、（CH3）3SiCl或SiCl4及（CH3）3SiCl与甲苯的混合蒸气,气氛为H2、Ar或N2,温度为1400～2200℃。岩相法观察表明,在实验温度范围内制备的碳化硅晶粒内都包含α-SiC晶体的片状骨架,它们往往沿C画与β-SiC相间互生:α-SiC晶架的C面孪晶角为37.3°和70.2°;β-SiC则形成基体物质。 化学反应的自由能变化与温度的依赖关系的计算表明,裂化法的化学作用可以概括为以下三类:（1）SiCl4的分解反应;（2）碳氢化合物的分解或简单碳氢化合物的介成反应;（3）各种可能合成碳化硅的反应。此外,也讨论了氯化硅烷反应剂系统的裂化反应。 根据实验结果,提出了裂化法生长β-SiC单晶的晶型控制问题,并认为解决这;一问题的重要性应不亚于晶体的大小与纯度。
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