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采用射频磁控溅射法制备了TbCo非晶垂直磁化膜，并就制备工艺及参数对其磁各向异性能的影响进行了研究。结果表明：磁性层组分、溅射气压、基片偏压以及后退火温度对TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性能都有不同程度的影响。当Tb含量为30％左右，或溅射气压为0.53Pa时，TbCo薄膜的磁各向异性能Ku会呈现极大值。基片偏压超过-60V以后，TbCo薄膜虬值开始显著上升，但超过-120V以后，Ku值开始趋向饱和。200℃以上真空退火会使TbCo薄膜磁各向异性能凰值明显下降。产生这些现象的原因与薄膜微观结构的改变有关