Si光电器件表面减反膜设计的数值分析

来源 :光电子·激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yinzhg01

【摘要】

：

本文通过计算、分析在Si光电器件表面由SiO2、Si3N4及Al2O3组成的不同减反膜的反射损耗,得出了最优化的膜层组合.厚度为95 nm的SiO2层是最佳的单层减反膜;进一步的优化可采用

【作者】

：

孙晓斌唐九耀

【机构】

：

浙江大学物理系,浙江大学国家光学仪器工程技术研究中心

【出处】

：

光电子·激光

【发表日期】

：

2001年8期

【关键词】

：

表面减反膜 Si光电器件导纳特征矩阵法硅数值分析 Antireflection coatingsMatrix algebraNumerical analy

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本文通过计算、分析在Si光电器件表面由SiO2、Si3N4及Al2O3组成的不同减反膜的反射损耗,得出了最优化的膜层组合.厚度为95 nm的SiO2层是最佳的单层减反膜;进一步的优化可采用40 nm Si3N4和40 nm SiO2或45nm Al2O3和45 nm SiO2组成的2层结构;3层或3层以上结构的反射损耗呈振荡性变化,不建议采用.

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