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采用AFM阳极氧化方法，在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下，在Al／SiO2／Si表面制备了Al2O3纳米图形，图形最小尺寸为70nm，研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理．实验结果表明AFM阳极氧化是制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法．
Al／SiO2／Si表面Al2O3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法
【摘 要】
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采用AFM阳极氧化方法，在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下，在Al／SiO2／Si表面制备了Al2O3纳米图形，图形最小尺寸为70nm，研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理．实验结果表明
【机 构】
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上海大学射线应用研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年11期
【基金项目】
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上海市应用材料研究发展基金 ( No.0 3 18),,上海市启明星基金 ( No.0 3 QB14 0 17)资助项目~~
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