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用合成的SiO2-CeO2复合氧化物对单晶硅片进行抛光,测定其抛光速率与制备条件及浆料配制条件之间的关系.结果表明:经800℃煅烧后制得的硅铈摩尔比nsio2:nceo2为2:1的复合氧化物对硅片具有最大的抛蚀速率.与此同时,选用三乙醇胺和六偏磷酸钠分别作为浆料的pH调节剂和分散剂可以获得理想的浆料分散性和悬浮稳定性.确定了抛光浆料的最佳pH值和固含量分别为11和4%.