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利用传统的固相反应工艺制备了NaCu3Ti3NbO12和NaCu3Ti3SbO12陶瓷, 对它们的介电性质和晶格结构进行了研究。结果显示, 两种陶瓷都存在低频介电常数高于7×103的巨介电行为; 在室温或者更低温度下, 两种陶瓷的介电频谱（40 Hz~110 MHz）的实部只出现一个介电弛豫, 而更高温度下的介电频谱的实部则会有两个介电弛豫; XRD结果显示两种陶瓷中都含有少量的CuO第二相。这些实验结果能用CCTO陶瓷中的内阻挡层电容效应解释。NaCu3Ti3SbO12陶瓷的室温介电损耗在40