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设计了一个用于TD-SCDMA的锗硅异质结双极晶体管（SiGeHBT）功率放大器。该放大器使用3．3V电源，内部实现了包括级间匹配网络等的全电路片上集成。对于码分多址环境，功率放大器提供28dBm的功率输出，实现34．8％的功率附加效率（PAE），另外，在28dBm的输出功率下，邻道功率泄漏比（ACPR）小于-35dBc。该功率放大器同时包括动态控制偏置电路和完全集成的功率检测器。