论文部分内容阅读
利用MOCVD在Si（111）衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AIGaN／GaN异质结构。通过优化si衬底的浸润处理时间、AIN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜，研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN／GaN异质结电学性质的影响，2DEG的迁移率和面密度分别达到l410cm2／V·S和1．16×10^13cm-2。